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效率提高200%,6英寸碳化硅外延高速率生长工艺开发成功
军工资源网    2020-06-22 03:31:18    文字:【】【】【

近日,由中国电科材料公司研制的高速率碳化硅外延样片完成各项参数测试,即将上线流片。6英寸碳化硅外延高速率生长工艺的应用,可将生产效率提高200%以上,大幅降低生产成本,为下一步碳化硅外延产品扩大市场份额提供有力保障。



碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度宽、击穿电场强度大、饱和电子迁移速度快及热导率高等优势,是高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料。

高端产业极度关键、不容有失。

发展碳化硅技术是中国电科落实推进“新基建”的关键点。以本次外延生长速率大幅度提升为契机,材料公司将继续推进技术创新,持续提升产业化能力和水平,加快推进碳化硅业务整合和硅外延业务整合,与产业链上下游联合提高产品质量,为碳化硅材料的产业化发展作出更大贡献。   

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