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使用FTJ技术构建的新存储设备
军工资源网    2020-07-31 09:35:37    文字:【】【】【

[据英国电子周刊网站724日报道]  南加州大学维特比工程学院的研究人员提出了一种基于铁电隧道结(FTJ)技术的新存储技术。



FTJ设备有望提高数据上传速度,延长智能手机电池寿命并减少数据损坏。



南加州大学维特比工程学院电气与计算机工程副教授韩寒,与博士后学者吴江滨,博士生陈鸿宇和严晓东一起,使用不对称金属和半金属石墨烯构建了基于FTJ的器件材料。



通过采用这些材料并将它们构建为新颖的结构,它们能够超越以前展示的所有FTJ的性能,同时提供与硅电子产品集成的广阔前景。



ARO固态电子学与电磁学项目经理Joe Qiu博士说:“这一突破将对美国陆军的未来电子产品产生重大影响,使尺寸,重量和功率得到改善的便携式电子系统成为可能。”赞助了这个项目。



此外,这些材料接近原子级厚度的独特能力最终会导致生产线更快,更节能的FTJ存储器。



Wang说:“这些材料使我们能够构建可以按比例缩放到原子级厚度的设备。” “这意味着可以大大降低读取,写入和擦除数据所需的电压,这反过来又可以使存储电子设备更加节能。”



Wang和他的研究人员希望,随着时间的流逝,他们的设备可以扩大规模,不仅可以替代我们在手机和USB记忆棒中看到的非易失性存储器,而且可以替代D-RAM存储设备等易失性存储器在计算机中找到。



另外,该设备还可被设计为在单个单元内保存多位数据状态,并且凭借其强大的耐用性和保留性,它在内存计算和其他计算硬件中的应用具有广阔的潜力。(国家工业信息安全发展研究中心 李茜楠)

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